韓玄
6日
根據消息,中國科技企業華為已宣布將於深圳興建 DRAM 半導體記憶體生產設施,以回應全球晶片供應緊張局勢,並降低對海外供應商的依賴。
消息指出,中國政府已為這項計劃提供大額資金支持,新工廠將由華為與本地晶片製造商 Swaysure 合作興建。
新工廠將專注生產 12 吋 DRAM 晶圓,採用 28 奈米製程,未來可為華為的智慧型手機、伺服器及網絡設備等產品提供關鍵記憶體元件。
按照規劃,新工廠的設計產能將達到每月 14 萬片晶圓,有望成為中國規模最大的 DRAM 生產基地之一,同時成為全球記憶體市場的重要參與者。
隨著工廠投產,Huawei 將可進一步降低對三大 DRAM 供應商,包括 Samsung、SK Hynix 及 Micron 的依賴。
分析人士認為,興建自家 DRAM 工廠是華為長遠技術自主策略的一部分,希望在美國及其盟友持續收緊出口限制的背景下,加強自身半導體供應能力及市場競爭力。
消息指出,中國政府已為這項計劃提供大額資金支持,新工廠將由華為與本地晶片製造商 Swaysure 合作興建。
新工廠將專注生產 12 吋 DRAM 晶圓,採用 28 奈米製程,未來可為華為的智慧型手機、伺服器及網絡設備等產品提供關鍵記憶體元件。
按照規劃,新工廠的設計產能將達到每月 14 萬片晶圓,有望成為中國規模最大的 DRAM 生產基地之一,同時成為全球記憶體市場的重要參與者。
隨著工廠投產,Huawei 將可進一步降低對三大 DRAM 供應商,包括 Samsung、SK Hynix 及 Micron 的依賴。
分析人士認為,興建自家 DRAM 工廠是華為長遠技術自主策略的一部分,希望在美國及其盟友持續收緊出口限制的背景下,加強自身半導體供應能力及市場競爭力。
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